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1N6074US

1N6074US

僅供參考

型號 1N6074US
PNEDA編號 1N6074US
描述 DIODE GEN PURP 100V 3A D5A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N6074US資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N6074US
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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1N6074US規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.04V @ 9.4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SQ-MELF, A
供應商設備包裝D-5A
工作溫度-結點-65°C ~ 155°C

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電流-平均整流(Io)

1A

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550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-216AA

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

1200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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Standard

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880V

電流-平均整流(Io)

1.4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1.4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 880V

電容@ Vr,F

40pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

480mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

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