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1SS362FV,L3F

1SS362FV,L3F

僅供參考

型號 1SS362FV,L3F
PNEDA編號 1SS362FV-L3F
描述 DIODE ARRAY GP 80V 100MA VESM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1SS362FV資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1SS362FV,L3F
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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1SS362FV規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管配置1 Pair Series Connection
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 80V
工作溫度-結點150°C (Max)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝VESM

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

工作溫度-結點

175°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.6V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 600V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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二極管配置

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

580mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 40V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

640mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 60V

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