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MURTA300120R

MURTA300120R

僅供參考

型號 MURTA300120R
PNEDA編號 MURTA300120R
描述 DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,778
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURTA300120R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURTA300120R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MURTA300120R, MURTA300120R數據表 (總頁數: 4, 大小: 804.41 KB)
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MURTA300120R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)150A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.6V @ 150A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 600V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

850µA @ 60V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

860mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

550µA @ 80V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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250A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 250A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 60V

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