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1SS382TE85LF

1SS382TE85LF

僅供參考

型號 1SS382TE85LF
PNEDA編號 1SS382TE85LF
描述 DIODE ARRAY GP 80V 100MA USQ
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,770
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1SS382TE85LF資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1SS382TE85LF
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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1SS382TE85LF規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管配置2 Independent
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 80V
工作溫度-結點125°C (Max)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82
供應商設備包裝-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 200V

工作溫度-結點

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安裝類型

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 30mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

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15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 35V

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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