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20ETF02FP

20ETF02FP

僅供參考

型號 20ETF02FP
PNEDA編號 20ETF02FP
描述 DIODE GEN PURP 200V 20A TO220FP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

20ETF02FP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號20ETF02FP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
20ETF02FP, 20ETF02FP數據表 (總頁數: 7, 大小: 285 KB)
PDF20ETF06FP數據表 封面
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  • Vishay Semiconductor Diodes Division Distributor
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20ETF02FP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)160ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack
供應商設備包裝TO-220AC Full Pack
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 15V

電容@ Vr,F

1120pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

6.6pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

55ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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