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2DB1188R-13

2DB1188R-13

僅供參考

型號 2DB1188R-13
PNEDA編號 2DB1188R-13
描述 TRANS PNP 32V 2A SOT89-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,572
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2DB1188R-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2DB1188R-13
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2DB1188R-13, 2DB1188R-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 282.24 KB)
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2DB1188R-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 500mA, 3V
功率-最大1W
頻率-過渡120MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝SOT-89-3

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100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 5V

功率-最大

250mW

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