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SSM3K15AFS,LF

SSM3K15AFS,LF SSM3K15AFS,LF

僅供參考

型號 SSM3K15AFS,LF
PNEDA編號 SSM3K15AFS-LF
描述 MOSFET N-CH 30V 0.1A SSM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 1,362,366
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM3K15AFS資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM3K15AFS,LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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SSM3K15AFS規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.6Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13.5pF @ 3V
FET功能-
功耗(最大值)100mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SSM
包裝/箱SC-75, SOT-416

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.7mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta), 138W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

900mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

137mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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FET功能

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功耗(最大值)

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安裝類型

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