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2N4119A

2N4119A

僅供參考

型號 2N4119A
PNEDA編號 2N4119A
描述 MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF
制造商 Vishay Siliconix
單價
1 ---------- $69.5928
50 ---------- $66.3307
100 ---------- $63.0685
200 ---------- $59.8063
400 ---------- $57.0879
500 ---------- $54.3694
庫存 2,377
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4119A資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4119A
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2N4119A, 2N4119A數據表 (總頁數: 6, 大小: 68.78 KB)
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2N4119A規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)200µA @ 10V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID2V @ 1nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3pF @ 10V
電阻-RDS(On)-
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供應商設備包裝TO-206AF (TO-72)

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40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

750mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

50V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.2mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

6.5mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

400mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8.2pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

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P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

250 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

600µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

20mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.5V @ 10µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 10V

電阻-RDS(On)

300 Ohms

功率-最大

150mW

工作溫度

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