SST4119-T1-E3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 40V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 200µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3pF @ 10V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 350mW 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 TO-236 |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 40V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 80µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3pF @ 10V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 350mW 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SOT-23 |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 40V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 200µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3pF @ 10V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 300mW 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝 TO-206AF (TO-72) |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 40V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 200µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3pF @ 10V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 300mW 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝 TO-206AF (TO-72) |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 40V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 200µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3pF @ 10V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 300mW 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝 TO-206AF (TO-72) |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 40V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 80µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3pF @ 10V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 300mW 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝 TO-206AF (TO-72) |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 40V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 80µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3pF @ 10V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 300mW 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝 TO-206AF (TO-72) |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 40V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 80µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3pF @ 10V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 300mW 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝 TO-206AF (TO-72) |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 40V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 30µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 600mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3pF @ 10V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 300mW 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝 TO-206AF (TO-72) |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 40V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 30µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 600mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3pF @ 10V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 300mW 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝 TO-206AF (TO-72) |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 40V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 30µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 600mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3pF @ 10V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 300mW 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 供應商設備包裝 TO-206AF (TO-72) |
