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2N4859

2N4859

僅供參考

型號 2N4859
PNEDA編號 2N4859
描述 N CHANNEL JFET
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N4859資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N4859
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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2N4859規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/385
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)175mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID10V @ 500pA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds18pF @ 10V
電阻-RDS(On)25 Ohms
功率-最大360mW
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-18

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

625mW

工作溫度

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

20mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

25 Ohms

功率-最大

250mW

工作溫度

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

300 Ohms

功率-最大

400mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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900µA @ 20V

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

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