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2N5038G

2N5038G

僅供參考

型號 2N5038G
PNEDA編號 2N5038G
描述 TRANS NPN 90V 20A TO3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5038G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5038G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N5038G, 2N5038G數據表 (總頁數: 3, 大小: 79.08 KB)
PDF2N5038G數據表 封面
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2N5038G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)90V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 5A, 20A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 12A, 5V
功率-最大140W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-204 (TO-3)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

370mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

1.6W

頻率-過渡

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

0.15mV @ 500µA, 10V

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1mA, 5V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 80mA, 800mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 2V

功率-最大

750mW

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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