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2N5545JTXL01

2N5545JTXL01

僅供參考

型號 2N5545JTXL01
PNEDA編號 2N5545JTXL01
描述 JFET N-CH 50V TO-71
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5545JTXL01資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5545JTXL01
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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2N5545JTXL01規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型-
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)-
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-71-6
供應商設備包裝TO-71

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

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電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

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安裝類型

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.8V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

350mW

工作溫度

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安裝類型

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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30V

漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

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