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2N5770

2N5770

僅供參考

型號 2N5770
PNEDA編號 2N5770
描述 RF TRANS NPN 15V 900MHZ TO92
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 37,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5770資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5770
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
2N5770, 2N5770數據表 (總頁數: 2, 大小: 129.86 KB)
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2N5770規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡900MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)6dB @ 60MHz
增益-
功率-最大625mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 8mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

11.5dB ~ 17dB

功率-最大

280mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 15mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45mA

工作溫度

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Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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