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CMPT918 TR

CMPT918 TR

僅供參考

型號 CMPT918 TR
PNEDA編號 CMPT918-TR
描述 RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 53,220
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMPT918 TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMPT918 TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
CMPT918 TR, CMPT918 TR數據表 (總頁數: 3, 大小: 394.08 KB)
PDFCMPT918 TR數據表 封面
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CMPT918 TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)6dB @ 60MHz
增益11dB
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 3mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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增益

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功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 80mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

增益

-

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

增益

11.6dB

功率-最大

6.4W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 250mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

工作溫度

150°C (TJ)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

增益

13dB ~ 15.5dB

功率-最大

1.25W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

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