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2N6989

2N6989

僅供參考

型號 2N6989
PNEDA編號 2N6989
描述 TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6989資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6989
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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2N6989規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型4 NPN (Quad)
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大1.5W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱14-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝TO-116

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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晶體管類型

2 PNP Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

2.25W

頻率-過渡

-

工作溫度

-20°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

18-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

18-DIP

JAN2N6989

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

4 NPN (Quad)

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1.5W

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-

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Through Hole

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