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2N7002DW-13-G

2N7002DW-13-G

僅供參考

型號 2N7002DW-13-G
PNEDA編號 2N7002DW-13-G
描述 MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,734
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N7002DW-13-G資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N7002DW-13-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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2N7002DW-13-G規格

制造商Diodes Incorporated
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 6.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

47mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

305pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A, 22A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1750pF @ 15V

功率-最大

1W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4507pF @ 25V

功率-最大

277W

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

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