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2N7002DWH6327XTSA1

2N7002DWH6327XTSA1

僅供參考

型號 2N7002DWH6327XTSA1
PNEDA編號 2N7002DWH6327XTSA1
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 634,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N7002DWH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N7002DWH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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2N7002DWH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)300mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.6nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds20pF @ 25V
功率-最大500mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

115pF @ 6V

功率-最大

390mW

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6A, 10V, 46mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 10V, 2400pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

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