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2N7002L6327HTSA1

2N7002L6327HTSA1

僅供參考

型號 2N7002L6327HTSA1
PNEDA編號 2N7002L6327HTSA1
描述 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N7002L6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N7002L6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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2N7002L6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)300mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.6nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds20pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-SOT23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

199mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2170pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

134.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3

HAT1069C-EL-E

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制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

900mW (Ta)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

6-CMFPAK

包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

77A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2410pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

88W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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OptiMOS™

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 93µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

175nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13000pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 139W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2130pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

251W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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