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2SA1962-O(Q)

2SA1962-O(Q)

僅供參考

型號 2SA1962-O(Q)
PNEDA編號 2SA1962-O-Q
描述 TRANS PNP 230V 15A TO-3PN
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1962-O(Q)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1962-O(Q)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SA1962-O(Q)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)230V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 800mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)5µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 1A, 5V
功率-最大130W
頻率-過渡30MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P(N)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1.4A, 7A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 7A, 4V

功率-最大

100W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 2V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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