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2SB857-B-BP

2SB857-B-BP

僅供參考

型號 2SB857-B-BP
PNEDA編號 2SB857-B-BP
描述 TRANSISTOR TO-92 MOD
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 2,574
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB857-B-BP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB857-B-BP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SB857-B-BP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 2mA, 200mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 1A, 4V
功率-最大2W
頻率-過渡15MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 2A, 1V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.8V @ 60mA, 15A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

800 @ 15A, 3V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100µA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

40MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 2.5A, 25A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10A, 2V

功率-最大

200W

頻率-過渡

40MHz

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