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2SC4081RT1G

2SC4081RT1G

僅供參考

型號 2SC4081RT1G
PNEDA編號 2SC4081RT1G
描述 TRANS NPN 50V 0.1A SC70
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,654
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC4081RT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC4081RT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC4081RT1G, 2SC4081RT1G數據表 (總頁數: 2, 大小: 42.95 KB)
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2SC4081RT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 2mA, 6V
功率-最大200mW
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70-3 (SOT323)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

功率-最大

30W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

830mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

640mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 100mA, 5V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

160mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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