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2SC5066-O,LF

2SC5066-O,LF

僅供參考

型號 2SC5066-O,LF
PNEDA編號 2SC5066-O-LF
描述 RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 47,898
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5066-O資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5066-O,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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2SC5066-O規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1dB @ 500MHz
增益-
功率-最大100mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SSM

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.5dB @ 2GHz

增益

14dB ~ 16dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 3mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

13dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB @ 200MHz

增益

20dB ~ 23dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 3mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB ~ 9dB

功率-最大

7W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

工作溫度

200°C (TJ)

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Chassis Mount

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