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2SC5646A-TL-H

2SC5646A-TL-H

僅供參考

型號 2SC5646A-TL-H
PNEDA編號 2SC5646A-TL-H
描述 RF TRANS NPN 4V 12.5GHZ 3SSFP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5646A-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5646A-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
2SC5646A-TL-H, 2SC5646A-TL-H數據表 (總頁數: 9, 大小: 431.59 KB)
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2SC5646A-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)4V
頻率-過渡10GHz ~ 12.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.5dB @ 2GHz
增益9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz
功率-最大100mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 5mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-81
供應商設備包裝3-SSFP

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

10.5dB ~ 16dB

功率-最大

580mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 30mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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增益

8dB ~ 8.5dB

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 15mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

9A

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 500MHz

增益

-

功率-最大

330mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23-3

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Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

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晶體管類型

5 NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

增益

11.6dB

功率-最大

6.4W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 250mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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