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2SC5866TLQ

2SC5866TLQ

僅供參考

型號 2SC5866TLQ
PNEDA編號 2SC5866TLQ
描述 TRANS NPN 60V 2A TSMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 152,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5866TLQ資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5866TLQ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC5866TLQ, 2SC5866TLQ數據表 (總頁數: 7, 大小: 1,471.74 KB)
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2SC5866TLQ規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 100mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡200MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-96
供應商設備包裝TSMT3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 500mA, 3V

功率-最大

1W

頻率-過渡

220MHz

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 3A, 5V

功率-最大

200W

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

5.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

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工作溫度

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