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2SK208-O(TE85L,F)

2SK208-O(TE85L,F)

僅供參考

型號 2SK208-O(TE85L,F)
PNEDA編號 2SK208-O-TE85L-F
描述 JFET N-CH 50V SC59
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價
1 ---------- $11.0043
100 ---------- $10.4885
250 ---------- $9.9726
500 ---------- $9.4568
750 ---------- $9.0270
1,000 ---------- $8.5971
庫存 8,105
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK208-O(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK208-O(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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2SK208-O(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)50V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)600µA @ 10V
電流消耗(Id)-最大6.5mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID400mV @ 100nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8.2pF @ 10V
電阻-RDS(On)-
功率-最大100mW
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SC-59

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

60mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

6V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 15V

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

500mW

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FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 3nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 0V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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