2SK3666-3-TB-E
僅供參考
| 型號 | 2SK3666-3-TB-E | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | 2SK3666-3-TB-E | ||||||||||||||||||
| 描述 | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 12,596 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
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2SK3666-3-TB-E規格
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 系列 | - |
| FET類型 | N-Channel |
| 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） | - |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） | 1.2mA @ 10V |
| 電流消耗（Id）-最大 | 10mA |
| 電壓-截止（VGS關閉）@ ID | 180mV @ 1µA |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 4pF @ 10V |
| 電阻-RDS（On） | 200 Ohms |
| 功率-最大 | 200mW |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供應商設備包裝 | 3-CP |
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