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2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

僅供參考

型號 2SK3666-3-TB-E
PNEDA編號 2SK3666-3-TB-E
描述 JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $1.5295
250 ---------- $1.4578
500 ---------- $1.3861
1,000 ---------- $1.3144
2,500 ---------- $1.2546
5,000 ---------- $1.1949
庫存 12,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK3666-3-TB-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK3666-3-TB-E
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2SK3666-3-TB-E, 2SK3666-3-TB-E數據表 (總頁數: 4, 大小: 1,007.98 KB)
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2SK3666-3-TB-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)1.2mA @ 10V
電流消耗(Id)-最大10mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID180mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4pF @ 10V
電阻-RDS(On)200 Ohms
功率-最大200mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝3-CP

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50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

250mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

600µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

6.5mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

400mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8.2pF @ 10V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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