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2SK3670(T6CANO,A,F

2SK3670(T6CANO,A,F

僅供參考

型號 2SK3670(T6CANO,A,F
PNEDA編號 2SK3670-T6CANO-A-F
描述 MOSFET N-CH
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK3670(T6CANO資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK3670(T6CANO,A,F
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
2SK3670(T6CANO, 2SK3670(T6CANO數據表 (總頁數: 3, 大小: 146.62 KB)
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2SK3670(T6CANO規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92MOD
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

520A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

545nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

41000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 4.5V

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