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2SK3738-TL-E

2SK3738-TL-E

僅供參考

型號 2SK3738-TL-E
PNEDA編號 2SK3738-TL-E
描述 MOSFET N-CH 40V SC-75
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK3738-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK3738-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2SK3738-TL-E, 2SK3738-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 461.3 KB)
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2SK3738-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)40V
漏極至源極電壓(Vdss)40V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)50µA @ 10V
電流消耗(Id)-最大1mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID2.3V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1.7pF @ 10V
電阻-RDS(On)-
功率-最大100mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SMCP

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

8 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

250 Ohms

功率-最大

300mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

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