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2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F)

僅供參考

型號 2SK879-GR(TE85L,F)
PNEDA編號 2SK879-GR-TE85L-F
描述 JFET N-CH 0.1W USM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價
1 ---------- $13.1032
100 ---------- $12.4890
250 ---------- $11.8748
500 ---------- $11.2606
750 ---------- $10.7487
1,000 ---------- $10.2369
庫存 32,949
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK879-GR(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK879-GR(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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2SK879-GR(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)2.6mA @ 10V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID400mV @ 100nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8.2pF @ 10V
電阻-RDS(On)-
功率-最大100mW
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝USM

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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N-Channel

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25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

225mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

60mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

210µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

100mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.1pF @ 2V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

30mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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