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TF252-5-TL-H

TF252-5-TL-H

僅供參考

型號 TF252-5-TL-H
PNEDA編號 TF252-5-TL-H
描述 JFET N-CH 1MA 30MW USFP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TF252-5-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TF252-5-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
TF252-5-TL-H, TF252-5-TL-H數據表 (總頁數: 7, 大小: 329.79 KB)
PDFTF252-5-TL-H數據表 封面
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TF252-5-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)210µA @ 2V
電流消耗(Id)-最大1mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID100mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3.1pF @ 2V
電阻-RDS(On)-
功率-最大30mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝3-USFP

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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功率-最大

225mW

工作溫度

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安裝類型

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供應商設備包裝

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

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電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

25V

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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