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2SK932-22-TB-E

2SK932-22-TB-E

僅供參考

型號 2SK932-22-TB-E
PNEDA編號 2SK932-22-TB-E
描述 JFET N-CH 50MA 200MW CP
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $0.6568
500 ---------- $0.6260
1,000 ---------- $0.5952
2,500 ---------- $0.5644
5,000 ---------- $0.5388
10,000 ---------- $0.5131
庫存 4,427
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK932-22-TB-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK932-22-TB-E
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2SK932-22-TB-E, 2SK932-22-TB-E數據表 (總頁數: 4, 大小: 1,044.85 KB)
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  • 2SK932-22-TB-E Distributor

2SK932-22-TB-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)15V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)7.3mA @ 5V
電流消耗(Id)-最大50mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID200mV @ 100µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)-
功率-最大200mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝3-CP

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

15mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

360mW

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

80mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

360mW

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

24mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200mA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.5V @ 3nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 0V

電阻-RDS(On)

7 Ohms

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

15V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

200mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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