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64020H

64020H

僅供參考

型號 64020H
PNEDA編號 64020H
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

64020H資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號64020H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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64020H規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 20mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

1.5dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 8mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

增益

21dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

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