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SS9018GBU

SS9018GBU

僅供參考

型號 SS9018GBU
PNEDA編號 SS9018GBU
描述 RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 55,386
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS9018GBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS9018GBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
SS9018GBU, SS9018GBU數據表 (總頁數: 5, 大小: 173.35 KB)
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SS9018GBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡1.1GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大400mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce72 @ 1mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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1.4dB @ 1GHz

增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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增益

8.06dB ~ 8.45dB

功率-最大

115W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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增益

-

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

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1.9dB @ 2GHz

增益

7.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

SOT-363

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 2GHz

增益

18dB

功率-最大

60mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10mA

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