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66068B

66068B

僅供參考

型號 66068B
PNEDA編號 66068B
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,572
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

66068B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號66068B
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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66068B規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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60 @ 5mA, 6V

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Surface Mount

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9dB

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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制造商

Microsemi Corporation

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

20dB

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

38 @ 7mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

23dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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