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6N135W

6N135W

僅供參考

型號 6N135W
PNEDA編號 6N135W
描述 OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

6N135W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號6N135W
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
6N135W, 6N135W數據表 (總頁數: 12, 大小: 615.07 KB)
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6N135W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離2500Vrms
電流傳輸比(最小值)7% @ 16mA
電流傳輸比(最大值)50% @ 16mA
開啟/關閉時間(典型值)450ns, 500ns
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)20V
電流-輸出/通道8mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.45V
電流-直流正向(If)(最大值)25mA
Vce飽和度(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝8-DIP

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

20µs, 20µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

40mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

1µs, 4µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington with Base

電壓-輸出(最大值)

18V

電流-輸出/通道

60mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.65V

電流-直流正向(If)(最大值)

20mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

0°C ~ 70°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

600% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

7500% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

60µs, 53µs

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

80mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

1V

工作溫度

-30°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

4-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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電壓-隔離

4170Vrms

電流傳輸比(最小值)

10% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 2µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.18V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

500mV

工作溫度

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

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