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IRF8313TRPBF

IRF8313TRPBF IRF8313TRPBF

僅供參考

型號 IRF8313TRPBF
PNEDA編號 IRF8313TRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 93,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF8313TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF8313TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF8313TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds760pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

294mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

24.5pF @ 20V

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安裝類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 15V

功率-最大

27W, 30W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 15V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

78.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 25V

功率-最大

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