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70T3519S166DR

70T3519S166DR

僅供參考

型號 70T3519S166DR
PNEDA編號 70T3519S166DR
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T3519S166DR資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T3519S166DR
類別半導體內存IC內存

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70T3519S166DR規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.6ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-BFQFP
供應商設備包裝208-PQFP (28x28)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.3V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

64kb (32B Page Size)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

100µs, 2.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

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