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W631GG8KB15I TR

W631GG8KB15I TR

僅供參考

型號 W631GG8KB15I TR
PNEDA編號 W631GG8KB15I-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA
制造商 Winbond Electronics
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

W631GG8KB15I TR資源

品牌 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號W631GG8KB15I TR
類別半導體內存IC內存
數據表
W631GG8KB15I TR, W631GG8KB15I TR數據表 (總頁數: 159, 大小: 2,842.83 KB)
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W631GG8KB15I TR規格

制造商Winbond Electronics
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率667MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-WBGA (10.5x8)

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

256-LBGA

供應商設備包裝

256-CABGA (17x17)

7142LA35CB

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

48-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存接口

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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