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70V06L55J8

70V06L55J8

僅供參考

型號 70V06L55J8
PNEDA編號 70V06L55J8
描述 IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V06L55J8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V06L55J8
類別半導體內存IC內存

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70V06L55J8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小128Kb (16K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱68-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝68-PLCC (24.21x24.21)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C, Single Wire

時鐘頻率

125kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 4.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

450MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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