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70V08L20PFI8

70V08L20PFI8

僅供參考

型號 70V08L20PFI8
PNEDA編號 70V08L20PFI8
描述 IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V08L20PFI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V08L20PFI8
類別半導體內存IC內存

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70V08L20PFI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小512Kb (64K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ns
訪問時間20ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.6ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

153-VFBGA

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

16MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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