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70V25S35J8

70V25S35J8

僅供參考

型號 70V25S35J8
PNEDA編號 70V25S35J8
描述 IC SRAM 128K PARALLEL 84PLCC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V25S35J8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V25S35J8
類別半導體內存IC內存

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70V25S35J8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小128Kb (8K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-LCC (J-Lead)
供應商設備包裝84-PLCC (29.21x29.21)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

24-CDIP

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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96ns

電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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