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71124S20YG

71124S20YG

僅供參考

型號 71124S20YG
PNEDA編號 71124S20YG
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 5 - 三月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71124S20YG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71124S20YG
類別半導體內存IC內存

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71124S20YG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ns
訪問時間20ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝32-SOJ

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

56-TSOP

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制造商

Maxim Integrated

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

32-EDIP

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

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