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71V65603S150BQG8

71V65603S150BQG8

僅供參考

型號 71V65603S150BQG8
PNEDA編號 71V65603S150BQG8
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V65603S150BQG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V65603S150BQG8
類別半導體內存IC內存

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71V65603S150BQG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率150MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.8ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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內存接口

Parallel

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訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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內存類型

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內存格式

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內存接口

SPI

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

15ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

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