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71V67903S75BQGI

71V67903S75BQGI

僅供參考

型號 71V67903S75BQGI
PNEDA編號 71V67903S75BQGI
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,778
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V67903S75BQGI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V67903S75BQGI
類別半導體內存IC內存

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71V67903S75BQGI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (512K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率117MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間7.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

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CY62128ELL-45ZXA

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制造商

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

MoBL®

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

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MT45W4MW16PBA-70 WT TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

PSRAM

技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-VFBGA

供應商設備包裝

48-VFBGA (6x8)

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