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93C66AT-E/MNY

93C66AT-E/MNY

僅供參考

型號 93C66AT-E/MNY
PNEDA編號 93C66AT-E-MNY
描述 IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 3,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

93C66AT-E/MNY資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號93C66AT-E/MNY
類別半導體內存IC內存

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93C66AT-E/MNY規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小4Kb (512 x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率2MHz
寫周期-字,頁2ms
訪問時間-
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-TDFN (2x3)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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制造商

Microchip Technology

系列

SST26 SQI®

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16M (2M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

1.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

90-VFBGA (10x13)

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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