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A2I08H040GNR1

A2I08H040GNR1

僅供參考

型號 A2I08H040GNR1
PNEDA編號 A2I08H040GNR1
描述 IC RF LDMOS AMP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

A2I08H040GNR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號A2I08H040GNR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
A2I08H040GNR1, A2I08H040GNR1數據表 (總頁數: 30, 大小: 677.61 KB)
PDFA2I08H040NR1數據表 封面
A2I08H040NR1數據表 頁面 2 A2I08H040NR1數據表 頁面 3 A2I08H040NR1數據表 頁面 4 A2I08H040NR1數據表 頁面 5 A2I08H040NR1數據表 頁面 6 A2I08H040NR1數據表 頁面 7 A2I08H040NR1數據表 頁面 8 A2I08H040NR1數據表 頁面 9 A2I08H040NR1數據表 頁面 10 A2I08H040NR1數據表 頁面 11

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A2I08H040GNR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率920MHz
增益30.7dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試25mA
功率-輸出9W
電壓-額定65V
包裝/箱TO-270-15 Variant, Gull Wing
供應商設備包裝TO-270WBG-15

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電壓-測試

-

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7mA

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

30V

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

1.99GHz

增益

18.2dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.6A

功率-輸出

74W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-1110A

供應商設備包裝

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NXP

制造商

NXP USA Inc.

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晶體管類型

N-Channel Dual Gate

頻率

200MHz

增益

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電壓-測試

5V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

1dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

-

電壓-額定

7V

包裝/箱

SOT-143R

供應商設備包裝

SOT-143R

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.6GHz

增益

14dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

160mA

功率-輸出

3W

電壓-額定

68V

包裝/箱

TO-270AA

供應商設備包裝

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電壓-測試

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額定電流(安培)

60mA

噪聲系數

-

當前-測試

10mA

功率-輸出

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電壓-額定

25V

包裝/箱

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