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ALD1102APAL

ALD1102APAL

僅供參考

型號 ALD1102APAL
PNEDA編號 ALD1102APAL
描述 MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 8,262
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD1102APAL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD1102APAL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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ALD1102APAL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs270Ohm @ 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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10.6V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

540Ohm @ 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.45V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

148A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 80A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

544nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10200pF @ 1000V

功率-最大

937W

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Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

860mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.72nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

34pF @ 20V

功率-最大

410mW

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安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 10V

功率-最大

150mW

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Vgs(th)(最大)@ ID

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