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ALD1106SBL

ALD1106SBL

僅供參考

型號 ALD1106SBL
PNEDA編號 ALD1106SBL
描述 MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD1106SBL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD1106SBL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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ALD1106SBL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列-
FET類型4 N-Channel, Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs500Ohm @ 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3pF @ 5V
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝14-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA, 120mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A, 26A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

827pF @ 15V

功率-最大

800mW, 900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

48pF @ 15V, 50pF @ 15V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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