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NDS8961

NDS8961

僅供參考

型號 NDS8961
PNEDA編號 NDS8961
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NDS8961資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NDS8961
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NDS8961, NDS8961數據表 (總頁數: 10, 大小: 332.37 KB)
PDFNDS8961數據表 封面
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NDS8961規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds190pF @ 15V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 25V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4290pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

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Advanced Linear Devices Inc.

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

840pF @ 10V

功率-最大

450mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 25V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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