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ALD1107SBL

ALD1107SBL

僅供參考

型號 ALD1107SBL
PNEDA編號 ALD1107SBL
描述 MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 19,368
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD1107SBL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD1107SBL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ALD1107SBL, ALD1107SBL數據表 (總頁數: 11, 大小: 121.7 KB)
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ALD1107SBL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列-
FET類型4 P-Channel, Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs1800Ohm @ 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3pF @ 5V
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝14-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 2.7V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.26V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2890pF @ 25V

功率-最大

50W

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